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STW4N150
摘要
制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV Id-连续漏极电流: 4 A Rds On-漏源导通电阻: 7 Ohms Vgs - 栅极-源
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